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Campo DC Valor Lengua/Idioma
dc.contributor.authorBenavides Jurado, Yilmar Dario-
dc.contributor.authorHidalgo Becerra, Carlos Mario-
dc.date.accessioned2023-10-25T20:47:16Z-
dc.date.available2023-10-25T20:47:16Z-
dc.date.issued2022-09-16-
dc.identifier.citationBenavides Jurado, Y. D. & Hidalgo Becerra, C. M. (2022). Comparación de la eficiencia en términos de potencia y estabilidad de un preamplificador de señales con OFET y un preamplificador de señales con FET. [Trabajo de pregrado, Universidad CESMAG]. Repositorio Institucional de la Universidad CESMAG. http://repositorio.unicesmag.edu.co:8080/xmlui/handle/123456789/828en_US
dc.identifier.otherCEIE004-
dc.identifier.urihttp://repositorio.unicesmag.edu.co:8080/xmlui/handle/123456789/828-
dc.description.abstractEsta investigación como proyecto de grado, plantea el desarrollo de un modelo SPICE de un transistor de efecto de campo orgánico (OFET) para su estudio como componente principal de un preamplificador de señales. Con el fin de estudiar la potencia y la estabilidad de un circuito basado en OFET, se propone una comparación con un preamplificador de señales basado en FET. Dicha investigación motiva al estudio de la tecnología orgánica en el departamento de ingeniería electrónica de la Universidad CESMAG. La característica principal de la electrónica orgánica frente a la electrónica tradicional es su fácil procesamiento, disponibilidad y reducción de costos en la producción de componentes y dispositivos electrónicos (Matsui et al., 2018). Una de las principales causas que motivaron la búsqueda de una alternativa de implementación de OFETs en la preamplificación de señales, es que la fabricación de componentes electrónicos de forma tradicional requiere muchas exigencias tales como: el electroplateado, adelgazamiento del substrato, procesos a altas temperaturas alrededor de 800°C y 900°C, equipo de litografía óptica, técnicas de plasma de baja densidad, aplicación de radiofrecuencia típicamente 13,56 MHz, salas limpias, entre otras. (Garrido Ariza, 2000a). Esta investigación se realizó con el interés de conocer el funcionamiento del OFET en la preamplificación de señales para así poder identificar y relacionar sus principales ventajas y desventajas en comparación con preamplificadores basados en transistores de efecto de campo tradicionales. En este proyecto se obtuvo la medición de variables requeridas para cada modelo de transistor diseñado y para el modelo de preamplificador simulado. Se estudió la preamplificación de señales teniendo como línea base la tecnología orgánica, es importante para la generación de nuevo material teórico y posibles aplicaciones de los OFETs en diferentes dispositivos electrónicos, aportando al conocimiento en la electrónica en Colombia.en_US
dc.language.isoesen_US
dc.publisherUniversidad CESMAGen_US
dc.subjectAMPLIFICADORen_US
dc.subjectDIAGRAMA DE BLOQUESen_US
dc.subjectMODELO OFETen_US
dc.subjectTRANSISTORESen_US
dc.subjectVOLTAGEen_US
dc.titleComparación de la eficiencia en términos de potencia y estabilidad de un preamplificador de señales con OFET y un preamplificador de señales con FET.en_US
dc.typeThesisen_US
Aparece en las colecciones: Ingeniería Electrónica

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